奇码硬件开发类笔试题目

　　第一卷

　　一、填空

　　奇码笔试1，集成电路的分类，按资料，工艺

　　奇码笔试2，集成电阻的计算，以及其制造工艺

　　奇码笔试3，Vtp，Vtn的正负判别，分别关于加强型和耗尽型

　　奇码笔试4，CMOS电路功耗包括哪两个局部，功耗设计主要思索的要素

　　二、填表

　　全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质

　　三、填图

　　CMOS工艺流程填图画图

　　四、问答

　　奇码笔试1，CMOS单元负载较大的电容时，只要进步W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何处理这一矛盾?

　　奇码笔试2，分离软件谈谈全定制集成电路设计流程

　　奇码笔试3，谈谈对Layout设计的见地

　　五、翻幅员或者画幅员，选一

　　第二卷

　　奇码笔试1，什么时格雷码?

　　奇码笔试2，Nyquist采样定例

　　奇码笔试3，球一米高落下，每次探起一半，求路途和重力做功

　　奇码笔试4，运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，剖析各种的优劣。

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